半導体レーザの種類、構造、原則として申請

半導体レーザー量子電に基づく半導体活性を小さくすると光学利得が発生する誘導放出と量子遷移エネルギーレベルの場合は濃度のキャリアの領域となることである。

半導体レーザー原則の運営にあたって

通常の状態の電子があり、レベルの価数. に近づいたときに、光子のエネルギーを超えるエネルギーギャップ、電子半導体にした状態を盛り上げ、破壊、制限区域はフリーゾーンを集中させ、その下端にする 同時に、穴を形成の価電子レベルの上昇を上限とします。 電子はフリーゾーン組み換え穴、発光エネルギーに等しいエネルギーゾーンのギャップの形成功しました。 組み換えによって高めることができ光子に十分なエネルギーです。 数値の記述に対応する機能のフェルミ.

デバイス

デバイス半導体レーザはレーザーダイオード励起のエネルギーの電子と正孔の地域のp-n接合– おの半導体の導電率を有するp-n-タイプです。 また、半導体レーザー光源のエネルギーのビーム形成時の吸収における"光-光量子カスケードレーザ、内遷移します。

インストール構成

以上の標準使用される化合物半導体レーザ及びその他の光-電子デバイス

• ガリウムヒ素.
• ガリウム素;
• 窒化ガリウム;
• 導;
• インジウムガリウムヒ素ガリウム;
• ガリウムヒ素ガリウムアルミニウム;
• ガリウムヒ素、窒化ガリウム-インド
• ガリウム素-インド

波長にあたって

これらの接続–直接バンドギャップ半導体 Napryazhenie(シリコン光に十分な電力効率な放. の発光波長のレーザーダイオードによりさまざまなものがあり近似の光子のエネルギー、エネルギーゾーンの特定の接続が落ちてしまいました。 3-4-部品半導体化合物、エネルギーギャップを変えられ、幅広くご活用いただけます。 からAlGaAs=Al_ｘGa_1-xとしては、例えば、アルミニウムコンテンツ(増x)の結果の増大エネルギーゾーンのギャップ

以上

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有機半導体にあたって

また、上記のほか、無機化合物を使用していることがあり、オーガニックです。 に関連する技術は、その発展を約束する人件費の大幅なコストダウンを製造しています。 これまでに、開発した有機レーザー光源のエネルギーを高効率に電気ポンプは、まだ達成された状態となっている。

種類

作成した多くの半導体レーザと異なるパラメータに適値とします。

小型の半導体レーザは、高品質な機械的ビーム放射線、電力範囲から五百mw単位. 結晶レーザーダイオードは薄板の形状が長方形において、導波路からの放射線に限定されます。 結晶legerretteの側面を作成しp-n接合の大きます。 研磨端を光共振器ファブリ-ペロー. 光子を通過する共振器に組み換えに放射線増加が始まり、 用レーザーポイント、CD、DVDプレーヤーなどの光ファイバーです。

低消費電力レーザー積層量子電外部共振器の短いパルスの同期が可能でmod.

半導体レーザ外部共振器構成のレーザーダイオードする行為として増幅中のレーザー共振器と言います。 変える能力を持って長波長において狭い排出バンドです。

注射半導体レーザの出力の放射線の広いバンドを束の低品質の容量を数ワットであった。 から薄膜を活性層との間に位置するp-n層形成のダブルヘテロ接合. 機構の光閉じ込め、横方向にその結果、楕円率はビームおよび受け入れ難いほど高い閾値電流が流れるようにした。

高出力半導体のバーで構成したブロードバンド配列のダイオードを製造できるビームの平凡な品質の容量は数十ワットであった。

の強力な二次元配列のダイオードを生成できる電力は、何百、何千w.

面発光レーザ(VCSEL)出品質の光パワーの数mw単位での直角プレート。 表面の放射線原因はミラーの共振器の層¼ディナ波により、屈折率の異なる. 一結晶を製造することが可能で、数百のレーザ製品では、レーザ光が最大になる可能性の量産には向かない。

レーザー VECSEL c光エネルギー供給の外部共振器を生成できるビーム品質の良の容量を数ワット間の同期モードがある。

操作により、半導体レーザー量子カスケード型に基づく遷移のゾーンではなくて、水谷). これらのデバイスを排出し、中赤外のスペクトルの時には、テラヘルツです。 使用例としてガスを移動するためのリンクです

半導体レーザー用基礎

強力ダイオードレーザーの高効率に電気的に励起緩やかな時の電圧を使用する手段としてのエネルギー供給には効率の高い固体レーザ用です。

半導体レーザの活動できる大きな周波数範囲と可視域、近赤外域、中赤外のスペクトルがあります。 のデバイスを変更することができます。周波数のizucheniya.

半導体レーザは迅速にスイッチと変調光電源で使用している送信機の光ファイバリンクになります。

これらの特性の半導体レーザの技術的に最も重要なタイプの量子制です。 うえ申請書を提出してくださ:

• のテレメトリ、pyrometers、光altimetersの範囲tdaスコープ、ホログラフィー;
• 光ファイバシステムの効率的に伝送-蓄積データシステムのコヒーレント通信;
• レーザープリンター、ビデオプロジェクター、ポインタ、バーコードスキャナーのイメージスキャナー、CDプレーヤー（DVD、CD、Blu-Ray);
• セキュリティシステム、量子暗号、 自動化、標;
• 光学計測、分光;
• 手術、歯学、cosmetology治療;
• 水質浄化、資材処理、励起固体レーザ制御の化学反応、産業仕分け、産業機械、点火システム、防空システム。

パルス出力

も半導体レーザーを連続的にビームが得られます。 により、短い滞在中の電子の伝導率の高いものを生成するのに適してパルスq-スイッチング、準連続モードの操作を大幅に引き上げの容量量子機能します。 また、半導体レーザを生成することができ超短パルスの同期modや切り替えにします。 平均出力短パルスレーザは、通常は数mw単位でのVECSELレーザー光の出力を測定することでmnogocwetnyeピコ秒パルスの周波数百ギガヘルツ.

変調および安定化

に短期滞在の電子の伝導帯の半導体レーザへの高周波数変調にVCSELのレーザーが10GHz. では、光データ伝送、分光安定化レーザ用です。