O campo de transistores e o princípio do seu trabalho

Os transistores são dispositivos semicondutores, o princípio de funcionamento baseado na modulação da resistência transversal-se um campo elétrico de um material semicondutor.

Uma característica Distintiva dos dispositivos deste tipo reside no fato de que o campo de transistores têm um alto ganho de tensão de entrada e de alta resistência.

Os dados de dispositivos na criação de uma corrente elétrica participam apenas os portadores однотипного de carga (elétrons).

Existem campo transistor de dois tipos:

- ter estrutura MIS, т. е. metal, em seguida, um dielétrico, então semicondutor (MIS);

- ter um gerente de p-n-a transição.

A composição mais simples de campo de um transistor vem com placa, feito de um material semicondutor, com um p-n-a transição no centro e невыпрямляющимися contatos nas bordas.

O Eletrodo de tal dispositivo, segundo o qual a algum canal passam os portadores de carga, é chamado de fonte, e o eletrodo, na qual os eletrodos têm vista do canal – dreno.

às Vezes acontece que os tais poderosos dispositivo de chave saem com uma falha. Por isso, durante a reparação de qualquer tipo de instrumento, muitas vezes é necessária a verificação de campo do transistor.

Para isso, é necessário dessoldar o dispositivo, т. к. no circuito electrónico-lo para verificar se não será possível. E então, seguindo determinadas instruções, para proceder a uma verificação.

O Campo de transistor tem dois modos de operação – dinâmico e fundamental.

Chave do modo de operação do transistor – é o que o transistor está em dois estados de s ã o totalmente aberta ou totalmente fechada. Mas o estado intermediário, quando o componente está aberto parcialmente, está em falta.

No caso ideal, quando o transistor está aberto", т. е. está no modo chamado de saturação, a resistência entre os terminais "stock" e "manancial" tende a zero.

A Potência de perda ao estado aberto parece ser obra de tensão (igual a zero) sobre o valor atual. Portanto, a potência de dissipação é igual a zero.

No modo de corte, ou seja, quando o transistor está trancado, sua resistência entre dreno/source"-conclusões tende ao infinito. Теряемая de energia quando fechada é uma obra de magnitude de tensão para um valor de tensão igual a zero. Respectivamente, a potência de perda = 0.

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Verifica-se que a chave modo de alimentação de perda de transistores é igual a zero.

Na prática, quando aberto, transistor, naturalmente, uma certa resistência "dreno/source" estará presente. Quando fechado transistor por estas conclusões, a corrente de pequena magnitude ainda está vazando. Portanto, no modo estático perda de potência no transistor é mínima.

E na dinâmica, no caso de transistor fecha ou abre, linear área impulsiona o ponto de trabalho, onde a corrente passando através de um transistor, convencionalmente, é a metade da tensão de dreno. Mas a tensão "dreno/source é mais provável que atinge metade do valor máximo. Portanto, de modo dinâmico do transistor fornece a seleção de uma enorme perda de energia, сводящей em "não" notáveis propriedades-chave do regime.

Mas, por sua vez, a longa presença de um transistor no modo dinâmico, muito menor que o tempo de permanência em modo estático. Resultando em um fator de desempenho do transistor em cascata, que trabalha em uma chave modo, é muito elevado e pode vir a ser de noventa e três e noventa e oito por cento.

O Campo de transistor, que trabalham no acima modo, tem bastante ampla aplicação na força transformadora de ajustes, em fontes de pulso de energia, no fim-de-semana каскадах específicos de transmissores e пр.