Was ist der TIR-Transistor?

Elementbasis Halbleiterelementen ständig wächst. Jede neue Erfindung in diesem Gebiet, in der Tat, ändert sich die ganze Sicht über den elektronischen Systemen. Ändern sich схемотехнические Möglichkeiten in der Gestaltung, neue Geräte auf Ihre Basis. Seit der Erfindung des ersten Transistors (1948), es ist schon eine Menge Zeit. Erfunden wurden die Strukturen "p-n-p" und "n-p-n", bipolare transistoren. Mit der Zeit erschien und TIR-Transistor, der auf dem Prinzip der änderung der elektrischen Leitfähigkeit приповерхностного Halbleiter Schicht unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes. Daher ein anderer name für dieses Element – field.

Selbst die Abkürzung TIR (Metall-Isolator-Halbleiter) beschreibt den inneren Bau des Gerätes. Und wirklich, der Verschluss haben ihn isoliert von Abfluss-Quelle und einer dünnen непроводящим Schicht. Moderne TIR-Transistor hat eine Länge von Verschlusses, gleich 0,6 µm. Durch ihn kann passieren nur das elektromagnetische Feld – und das ist es wirkt sich auf den elektrischen Zustand des Halbleiters.

Lassen Sie uns überlegen, wie Feldeffekttransistor, und herausfinden, worin der Hauptunterschied von bipolaren “Bruder”. Wenn Sie die erforderlichen Kapazitäten auf seinem Verschluss elektromagnetisches Feld erscheint. Es wirkt sich auf den übergang drain-Source-übergang. Hier sind einige Vorteile der Verwendung von dieses Gerät.

• Im offenen Zustand der Kontaktwiderstand der drain-Source sehr wenig, und TIR-Transistor mit dem Erfolg dient als elektronischer Schlüssel. Zum Beispiel kann es Steuern das operationelle Verstärker, шунтируя Last oder an der Logik der schaltungen.
• Bemerkenswert ist Auch die hohe Eingangsimpedanz des Gerätes. Diese Option ist relevant, wenn Sie genug Arbeit in niedrig-Strom-Ketten.
• Niedrige Kapazität übergang drain-Source ermöglicht die Nutzung von TIR-Transistor in hochfrequenten Geräten. Im Prozess erfolgt keine Verzerrungen bei der Signalübertragung.
• Entwicklung neuer Technologien bei der Herstellung von Elementen führte zur Gründung des IGBT-transistoren, die die positiven Eigenschaften von Feld-und bipolare Elemente. Netzmodule auf Ihrer Basis werden Häufig in Geräten Softstarter und Frequenzumrichtern.

Bei der Gestaltung und der Arbeit mit diesen Elementen, muss man berücksichtigen, dass der TIR-transistoren sind sehr empfindlich auf überspannung in der Schaltung und statische Elektrizität beschädigt werden. Das heißt, das Gerät kann beschädigt werden beim berühren des geschäftsführenden Schlussfolgerungen. Bei der Montage oder Demontage verwenden Sie eine spezielle Erdung.

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Perspektiven in der Verwendung dieses Gerätes sind sehr gut. Dank seiner einzigartigen Eigenschaften, es ist weit verbreitet in verschiedenen elektronischen Geräten. Innovative Richtung in der modernen Elektronik ist die Verwendung von IGBT-Modulen für die Arbeit in verschiedenen Ketten, einschließlich Induktion.

Die Technologie Ihrer Produktion ständig verbessert. Werden die Entwicklungen nach Skalierung (Verkleinerung) der Länge des Verschlusses. Dies verbessert die bereits gute Betriebsparameter des Gerätes.