¿Qué es el mdp-transistor?

Fecha:

2018-06-20 03:40:09

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Célula de la base de los elementos semiconductores crece constantemente. Cada nuevo invento en esta área, de hecho, cambia la vista de los sistemas electrónicos. Cambian схемотехнические opciones en diseño, aparecen nuevos dispositivos basados en ellos. Desde el primer transistor (1948), ha pasado ya mucho tiempo. Fueron inventadas por la estructura de la "p-n-p y n-p-n", transistores bipolares. Con el tiempo apareció la tir-transistor basado en el principio de los cambios de la conductividad eléctrica cerca de la superficie de la capa de semiconductor bajo la acción de un campo eléctrico. De aquí y otro por el nombre del elemento – del campo.

mdp-transistorEl Propio acrónimo tir (metal-aislante-semiconductor) describe la estructura interna de este aparato. Y, de hecho, el obturador tiene aislado de la escorrentía y de la fuente delgado непроводящим de la capa. Moderno mdp-transistor tiene una longitud de obturación, que es igual a 0,6 µm. A través de él se puede pasar sólo el campo electromagnético – he aquí que afecta a la eléctrica del estado de los semiconductores.

Veamos cómo funciona el campo de transistor, y vamos a encontrar, en la que su principal diferencia con respecto a bipolar “hermano”. Cuando aparezca la capacidad en su puerta aparece un campo electromagnético. En que influye en la resistencia de la transición drenaje-fuente de la transición. He aquí algunas de las ventajas que da el uso de este aparato.

  • En el estado abierto de transición de la resistencia de la dren-fuente muy poco, y mdp-transistor se ha utilizado con éxito como la llave. Por ejemplo, puede controlar el amplificador operacional, шунтируя la carga o la de participar en la labor de los esquemas de la lógica.mdp-transistores
  • También hay que señalar la alta impedancia de entrada de la unidad. Esta opción es lo suficientemente relevante cuando se trabaja en circuitos de baja intensidad.
  • La Baja capacidad de la transición drenaje-fuente permite el uso de tir-transistor en dispositivos de alta frecuencia. En el proceso no se produce distorsión en la transmisión.
  • Desarrollo de las nuevas tecnologías en la fabricación de elementos ha llevado a la creación de IGBT-transistores, combinando las cualidades positivas de campo y bipolares de los elementos. Los módulos de potencia en su base, son ampliamente utilizados en dispositivos de arrancadores suaves y variadores de frecuencia.

cómo funciona el transistor de campoEl diseño y el trabajo con estos elementos, se debe tener en cuenta que la tir-transistores son muy sensibles a la tensión en el esquema y la electricidad estática. Es decir, el dispositivo puede fallar a la hora de tocar a los administradores conclusiones. Durante el montaje o desmontaje, utilice una conexión a tierra.

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Las Perspectivas en el uso de este aparato, muy buenos. Gracias a sus propiedades únicas, se ha encontrado una amplia aplicación en diversos aparatos de correo. Innovador de la dirección de la moderna electrónica es el uso de la potencia IGBT-módulos para trabajar en los diferentes circuitos, en particular, y de inducción.

La Tecnología de su producción está en constante evolución. Se está desarrollando de escala (reducción) de la longitud del obturador. Esto permitirá mejorar la ya de por buenos parámetros operacionales de la unidad.


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