क्या है एमआईएस ट्रांजिस्टर?

तारीख:

2018-06-20 01:30:17

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तत्व के आधार पर अर्धचालक तत्वों लगातार बढ़ रही है । हर नए आविष्कार इस क्षेत्र में, वास्तव में, परिवर्तन के साथ पूरे दृश्य पर इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों. परिवर्तन सर्किट की क्षमता करने के लिए डिजाइन नए उपकरणों के आधार पर उन्हें. के आविष्कार के बाद से पहली बार ट्रांजिस्टर (1948), यह एक समय हो गया है. आविष्कार किया गया था "संरचनाओं p-n-p तथा n-p-n" द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर. समय के साथ, और एमआईएस ट्रांजिस्टर, सिद्धांत पर काम में परिवर्तन की विद्युत चालकता सतह के अर्धचालक परत के तहत बिजली के क्षेत्र की कार्रवाई की है । इसलिए एक और नाम के इस तत्व – के क्षेत्र है ।

एमआईएस ट्रांजिस्टरसंक्षिप्त एमआईएस (धातु-इन्सुलेटर सेमीकंडक्टर) की विशेषता आंतरिक संरचना के इस डिवाइस है । और वास्तव में, डाट यह से अलग है नाली और स्रोत की पतली गैर प्रवाहकीय परत है । आधुनिक राज्यमंत्री ट्रांजिस्टर एक गेट लंबाई की 0,6 μm है । यह माध्यम से पारित कर सकते हैं केवल विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र और ndash; यह यहाँ को प्रभावित करता है, बिजली की स्थिति सेमीकंडक्टर.

चलो देखो यह कैसे काम करता है क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर, और यह पता लगाने क्या है से मुख्य अंतर द्विध्रुवी “साथी”. की उपस्थिति आवश्यक क्षमता पर इसके गेट प्रकट होता है विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र है. यह प्रभावित करता है संक्रमण के प्रतिरोध नाली-स्रोत जंक्शन है । यहाँ से कुछ कर रहे हैं का उपयोग कर के लाभ इस डिवाइस है ।

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  • संपर्क प्रतिरोध की नाली-स्रोत बहुत छोटा है, और एमआईएस ट्रांजिस्टर प्रयोग किया जाता है के रूप में इलेक्ट्रॉनिक कुंजी है । उदाहरण के लिए, यह कर सकते हैं का प्रबंधन परिचालन एम्पलीफायर के साथ, shunting के लोड या में भाग लेने के लिए योजनाओं का तर्क है । <आइएमजी alt="एमआईएस ट्रांजिस्टर" ऊंचाई="201" src="/images/2018-Mar/17/69c7834e5c74d97abaa59e01f2ee927d/2.jpg" चौड़ाई="290" />
  • आप यह भी ध्यान देना चाहिए उच्च इनपुट प्रतिरोध की गणना । इस विकल्प को काफी प्रासंगिक है जब काम में कम वोल्टेज सर्किट के लिए.
  • कम जंक्शन समाई नाली-स्रोत के उपयोग की अनुमति देता एमआईएस ट्रांजिस्टर में उच्च-आवृत्ति उपकरणों. प्रक्रिया घटित नहीं करता है विरूपण के साथ संकेत.
  • के के विकास में नई प्रौद्योगिकियों के उत्पादन के तत्वों के निर्माण के लिए नेतृत्व आईजीबीटी-ट्रांजिस्टर के संयोजन, सकारात्मक गुणों के क्षेत्र और द्विध्रुवी तत्वों. शक्ति मॉड्यूल के साथ उनके आधार पर कर रहे हैं व्यापक रूप से इस्तेमाल किया नरम शुरुआत और आवृत्ति कन्वर्टर्स.
  • FETजब डिजाइनिंग और काम कर रहे इन तत्वों के साथ, यह आवश्यक है कि विचार करने के लिए एमआईएस ट्रांजिस्टर बहुत संवेदनशील होते हैं करने के लिए overvoltage में सर्किट, और स्थैतिक बिजली. कि है, डिवाइस की खराबी हो सकती है जब करने के लिए स्पर्श नियंत्रण के निष्कर्षों. जब बढ़ते या Dismounting का उपयोग एक विशेष ग्राउंडिंग.

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    उनके उत्पादन की तकनीक में लगातार सुधार किया जा रहा है । विकसित किया जा रहा है के लिए स्केलिंग के साथ (कम) की लंबाई के शटर है. इस में सुधार होगा पहले से ही अच्छी संचालन मानकों.

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