何MISトランジスタ?
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要素ベースの半導体素子が成長を続けています。 新発明は、この分野の実体をビュー上の電子システムです。 変更し回路のデザインすることができる能力新しいデバイスの参考にさせていただきます。 以降、最初のトランジスタ（1948）に、そんな気がしています. 発明された構造"p-n-p-n-p-n"バイポーラトランジスタです。 時間、MISトランジスタ、営業の変化を電気伝導性の表面に半導体層は、電気フィールドのアクションです。 そのために別の名前のこの要素–ます。
の略称MIS(金属-絶縁体-半導体)の特徴の内部構造をこの装置です。 ともに、ストッパーで分離したドレイン-ソースの薄い非導電層ます。 現代のmosトランジスタは、ゲート長0,6µmとなっています。 を通過できるだけ電磁界–ここでも影響を与える電気の半導体ます。
見てみましょう方法で電界効果トランジスタを見ついてしまう主な差異からのバイポーラ“員”ます。 の姿には、必要な時にその門電磁場します。 に影響を及ぼす遷移性のドレイン-ソースを継続的に実施している。 ちのいくつかを紹介しましょう利用します。
- 接触抵抗性のドレイン-ソースは非常に小さいので、MISトランジスタを使用してアクセスログは、ウェブサイトです。 例えば、管理することができ、オペアンプ、シャンの負荷に参加させるための手段-方法論です。
- ま注目すべきは、高い入力抵抗器です。 このオプションは非常に関係することで、社会での低圧回路です。
- 低接合静電容量ドレイン-ソースの使用が可能で、MISトランジスタの高周波デバイスです。 の処理が発生しない歪みの信号です。
- 新しい技術の開発、生産要素の作成、IGBTのオン-トランジスタを組み合わせの極性の分野やバイポーラ要素です。 電源モジュールをベースに幅広く使用ソフトを始めると、今度は周波数変換器です。
を設計する場合やこれらの要素を考慮する必要があることMISトランジスタの素過電圧回路において、静電気です。 このデバイスが誤動作することがあり場合にタッチの制御の成果です。 が取り付けや取り外し用の特殊な接地します。
以上
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Alin Trodden - 記事の著者、編集者
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